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参数目录39413
> IPD800N06N G MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
型号:
IPD800N06N G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IPD800N06N G PDF
产品目录绘图
Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 16µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
370pF @ 30V
功率 - 最大
47W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
PG-TO252-3
包装
标准包装
其它名称
IPD800N06NGINDKR
查看IPD800N06N G代理商
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